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NAND-based MCP

Flash和LPDDR堆疊封裝，節(jié)省PCB空間
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

Flash和LPDDR堆疊封裝，簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間
核心電壓1.8V，功耗更小，滿足可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)低功耗的需求
減少BOM表上的采購(gòu)元件從而簡(jiǎn)化采購(gòu)生產(chǎn)和節(jié)約成本

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產(chǎn)品參數(shù)
產(chǎn)品系列 閃存介質(zhì) 容量 封裝 電壓 頁(yè)大小 工作溫度 尺寸 Rank Per
Channel		 P/N
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 1Gbit+1Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0101F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 2Gbit+1Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0201F-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 2Gbit+2Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		2K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0202A-RWT
LPDDR2 NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+2Gbit FBGA162 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR2: 1.14~1.30V 		4K Page -40~85℃ 8*10.5mm 1 F70ME0402A-RWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+6Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0406A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 4Gbit+8Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0408A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 8Gbit+6Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0806A-SWT
LPDDR4x NAND-based MCP SLC NAND 8Gbit+8Gbit WFBGA149 NAND: 1.7~1.95V
LPDDR4x: 1.06~1.17V 		4K Page -40~85℃ 8*9.5mm 1 F70NH0808A-SWT
*數(shù)據(jù)來源于江波龍內(nèi)部測(cè)試，實(shí)際性能因設(shè)備差異，可能有所不同
產(chǎn)品特性
  • 01
    SLC NAND和LPDDR 2多芯片封裝

  • 02
    工作電壓兼容1.8V和1.2V，符合主流產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)

  • 03
    溫度范圍包括-40℃~85℃和-25℃~85℃，為客戶提供更多選擇

  • 04
    容量組合包括1Gb+1Gb和 4Gb+2Gb，滿足多種容量需求

  • 05
    封裝為BGA162，適用更小的PCB空間

應(yīng)用領(lǐng)域

  • POS機(jī)

  • 兒童手表

  • MIFI

  • 4G模塊

  • 功能手機(jī)

兼容平臺(tái)

序號(hào)

平臺(tái)名稱

01

英特爾（Intel）

02

全志（Allwinner）

03

聯(lián)發(fā)科（Media Tek）

04

晶晨（Amlogic）

05

安霸（Ambarella）

06

瑞芯微（Rockchip）

07

美滿（Marvell）

08

紫光展銳（UNISOC）

（此處只展示部分平臺(tái)）


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